技术需求概述：本项目旨在研发一种大带宽CMOS兼容硅基光调制器技术，该技术通过创新的材料组合和结构设计，实现高带宽、低损耗、高调制深度的光调制性能。技术参数要求：带宽：光调制器的带宽需达到XX GHz以上，以满足高速光通信系统的需求。调制深度：调制深度需达到XX dB以上，确保光信号的有效调制。损耗：光调制器的插入损耗需控制在XX dB以下，以减少光信号的传输损耗。响应速度：光调制器的响应时间需小于XX ns，以满足高速数据传输的要求。CMOS兼容性：确保光调制器的制造工艺与CMOS工艺兼容，便于集成和成本控制。